Web実際にはMOSFETのスイッチングを完全にオンにできる状態で、相反関係にあるオン抵抗値 との調整を行い、ゲート-ソース間電圧(V GS ) を設定します。 この場合、設定した電圧(例:V GS = 10 V では85nC , V GS = 15V では 130nC )とグラフからゲート総電荷量(Q g )を読み取ります。 MOSFET 製品詳細ページへ オン抵抗 素子印加電力の計算方 … WebSep 28, 2016 · この記事のポイント. ・MOSFETのスイッチング特性として、一般にターンオン遅延時間、上昇時間、ターンオフ遅延時間、下降時間が提示されている。. ・スイッチング特性は、測定条件と測定回路に大きく影響されるので、提示条件を確認する ...
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